光刻膠處理中的四大烘烤工藝——基板預烘烤、軟烘、曝光后烘烤與硬烘
 

　　涂膠前的烘烤
 

　　構建牢靠的膠基結(jié)合
 

　　基板表面處理是光刻膠附著的首要環(huán)節(jié)。當溫度升至100°C時，基材表面吸附的水分子(H?O)開始脫附，這一過程能有效消除“水膜屏障”，避免光刻膠與基板間因水分殘留導致的結(jié)合力下降。硅、玻璃、石英等氧化表面的羥基(-OH)會導致親水性表面，降低光刻膠附著力，而溫度進一步升至150°C以上時，羥基(-OH)會發(fā)生熱裂解反應，從而進一步提升光刻膠與基板的結(jié)合力。
 

　?、?低溫段推薦120°C烘烤3-5分鐘，高溫段需避免過久導致基板氧化加劇。
 

　?、谑褂蒙虾ｋh思HMDS烤箱HMDS增粘劑預處理可達到類似高溫烘烤的效果。
 

　　③ 涂膠應在基板冷卻后立即進行以防止水分再吸附，但需確?；寤謴褪覝匾员ＷC膠膜均勻性。
 

　　HMDS烤箱預烘烤工藝
 

　　HMDS烤箱將HMDS涂到半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、碳化硅/硫化鋅/磷化銦/生物晶圓等材料表面后，經(jīng)烘箱加溫氣相沉積在襯底表面。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)樗?，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。
 

　　可以很好地改善光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕等煩惱。